半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业高质量发展最卡脖子的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设施的强国。

  近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的最重要的引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在一直增长，和传统工业慢慢的变成了国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设施是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人类最关注的硬科技产业之一。

  中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升，目前占比超过20%。

  中微的主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设施，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。由于光刻机的波长限制和2维芯片到3维芯片的发展，等离子体刻蚀设备越来越成为关键制约设备，也成为十大类关键设备市场最大的一类，占半导体前道设备总市场约22%。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。

  微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制作而成的革命性变化。存储器件从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大幅度提升。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性逐步的提升，从2011年到2021年市场的年平均上涨的速度各达到16.39%和13.41%，远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了高速成长机会。

  近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这一些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备，很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国大陆。近年来，中国LED芯片产业的加快速度进行发展带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的迅速增加，特别是从2021年下半年到2022年Mini-LED显示屏产业和功率器件等多种产业的大发展，迎来了一个MOCVD市场需求的高潮。

  公司继续瞄准世界科学技术前沿，持续践行三维发展的策略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户的真实需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研制、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。

  公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细致划分领域取得了卓有成效的进展。

  此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中，在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已基本建成完工，部分生产洁净室于2022年7月投入试生产；公司在上海临港（600848）的约18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，2023年将部分投入到正常的使用中；上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设。

  报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际领先水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。

  报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：

  公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科学技术前沿。报告期内，公司继续保持比较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研制进展顺利、客户端验证情况良好。2022年公司研发投入为9.29亿元，相较去年同期增长27.61%，占收入比例为19.59%。

  公司持续打造领先设备公司市场形象，热情参加有一定的影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提升产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。

  报告期内，公司CCP刻蚀设备产品不断完善、丰富产品的性能，继续保持竞争优势，PrimoAD-RIE、PrimoSSCAD-RIE、PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。公司持续丰富公司产品线，不断提升市场占有率，为客户提供全方位的刻蚀解决方案。公司2022年共生产付运475个CCP刻蚀反应腔，同比增长59.40%。在先进逻辑器件方面，公司的双反应台刻蚀机不断完善设备性能，在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售。在存储器件方面，公司的刻蚀设备不仅在3DNAND的生产线被广泛应用，还成功的通过了多个动态存储器的工艺验证，并取得了重复订单。

  公司在现有产品的基础上，分别针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进行技术攻关，并取得良好进展。在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一(如下图所示)。公司针对该刻蚀工艺，开发了可调节电极间距的刻蚀机，在刻蚀过程中，反应腔的极板间距可动态调节，以同时满足通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求。

  在存储器件中，极高深宽比刻蚀是最为困难和关键的工艺，是在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（>

  40：1）的深孔/深槽。公司自主开发了极高深比刻蚀机，该设备用400KHz取代2MHz作为偏压射频源，以获得更高的离子入射能量和准直性，使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。

  报告期内，公司ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点，开展技术创新，在原有的单台机ICP刻蚀设备Primonanova家族的NanovSE的基础上，推出了用于高深宽比结构刻蚀的Nanova

  VE和用于高均匀性刻蚀的NanovaUE两种ICP设备，增强了刻蚀设备性能和工艺覆盖度，丰富了ICP产品种类。

  NanovaVE设备配备了双偏压射频发生器和独有的晶圆边缘阻抗动态调节功能，在高深宽比结构的刻蚀中，能有效地增加离子的能量，提高刻蚀形貌的垂直度，消除晶圆边缘的倾斜度，并提高刻蚀速度和单位时间的产能。

  NanovaUE设备配备了多区域温控静电吸盘和多脉冲射频发生器。多区域静电吸盘可对晶圆的局部温度进行微调，从而实现局部关键尺寸（CriticaDimension，CD）的调节，极大地提高晶圆内CD的均匀性。脉冲射频发生器能形成脉冲波形，调节电子温度和方向，提高待刻蚀材料和掩膜的刻蚀选择比。

  上述NanovaVE和NanovaUE设备的推出，拓展了公司单台机ICP刻蚀设备Primonanova家族的适用工艺制程，在全面满足55nm，40nm和28纳米逻辑芯片制造中的ICP刻蚀工艺的基础上，拓展了在DRAM、3DNAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蚀应用范围。与此同时，公司在原有的双台机ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star的基础上，通过研发晶圆边缘保护功能和低频偏压系统，推出了Twin-StarSE产品。Twin-StarSE的推出，不仅拓展了公司双台机ICP刻蚀设备在功率器件、Micro-LED、MetaLens等特色器件的刻蚀市场，也让客户在不同芯片种类的各种刻蚀应用上有了高产出、高性价比的双台机ICP设备可供选择。至此，公司ICP刻蚀设备形成了完整的单台和双台刻蚀设备的布局，满足客户对高刻蚀性能、高产能和高性价比的不同侧重需求。

  此外，报告期内，公司根据客户的技术发展需求，有序推进下一代ICP刻蚀产品的技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑芯片、DRAM和3DNAND存储芯片等芯片制造对ICP刻蚀需求。

  报告期内，公司的ICP刻蚀设备在超过20个客户的逻辑、DRAM和3DNAND等器件的生产线多个ICP刻蚀工艺的量产，并持续扩展到更多刻蚀应用的验证。截止2022年底，PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数已达到297台，且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加。PrimoTwin-Star则在海内外多个客户的产线上实现量产，并取得重复订单。

  报告期内，公司ICP技术设备产品类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5维封装和微机电系统芯片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时，在300mm的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户300mm微机电系统芯片的生产线上获得认证机台的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备开拓了新的市场机会。

  报告期内，公司用于蓝光照明的PrismoA7、用于深紫外LED的PrismoHiT3、用于Mini-LED显示的PrismoUniMax等产品持续服务客户。截止2022年，公司累计MOCVD产品出货量超过500腔，持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PrismoUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，累计出货量已超过120腔，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。PrismoUniMax设备拓展了公司的MOCVD设备产品线，为全球LED芯片制造商提供极具竞争力的Mini-LED量产解决方案，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正开发中。

  公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。在氮化镓功率器件领域，随着手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的快速爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用设备提速增长。报告期内，公司推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PrismoPD5，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。

  此外，随着电动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，2023年将交付样机至客户端开展生产验证，进一步丰富公司的产品线）薄膜沉积设备研发

  报告期内，公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，在此之前CVD钨在实验室已经完成稳定性测试和客户测验证，应用于金属互联的CVD钨制程设备各项性能已能够满足客户工艺验证的需求。同时公司在和更多逻辑和存储客户对接CVD钨设备的验证，并已取得多项进展为进一步积累市场优势打下基础。在金属钨CVD设备的基础上，公司正在进一步开发新型号CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，新型号的CVD钨和ALD钨设备是高端存储器件的关键设备，目前已开始实验室测试同时和关键客户开始对接验证。公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，已经进入实验室测试阶段。在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，公司计划研发更多的先进CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。

  公司组建的EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备已进入样机的设计，制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

  子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造多台净化设备，并顺利的应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。

  子公司中微汇链创新性地以区块链理念和技术为基础，通过云+链方式打造新一代分布式去中心化的工业互联网平台We-Linkin，协助重点行业和区域产业优化资源配置、促进产业要素的价值实现与流通，充分发挥产业集群效应，为重点行业或链主企业建立资源汇聚、数据互联、流程互通、自主治理的产业协同体系。

  中微汇链将公司多年来积累沉淀的业务管理最佳实践经验融入数字化应用产品开发中，致力于为中小型制造企业提供低成本、快速交付的数字化管理解决方案，不仅协助企业全面提升研发、制造、交付管理能力，还助力企业融入产业生态，参与产业创新协作体系。以创新数字化手段推动本土制造产业培育更多”专精特新”中小企业和单项冠军企业。目前，平台场景应用数量已超70个，可订阅微服务超300个。

  中微汇链为上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、上海区块链技术协会会员单位。2022年，中微汇链成功成为思爱普（SAP）集团PEBuid合作伙伴，并获得2022中国产业区块链企业100强、《2022年中国产业区块链创新案例》等奖项；通过中国信息通信研究院星火-链网骨干节点供应商遴选评审，并被授予星火-链网骨干节点建设技术供应商资格，并参与《中国产业区块链发展报告（2022）》编写工作。

  报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。

  为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司正在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。目前公司产业化建设项目正在顺利推进中，其中中微临港产业化基地项目已经完成结构封顶；南昌中微半导体设备有限公司生产和研发基地已部分完工，部分生产洁净室于2022年7月投入试生产；中微临港总部和研发基地项目正常进行施工中。

  公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。受到全球供应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长，但通过公司同供应商的通力协作，公司报告期内产品按计划交付。

  公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2022年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，包括福布斯中国“2022中国创新力企业50强”，IMDS2022“中国Mini/MicroLED供应链创新发展核心竞争力Top10优秀企业奖”，2022年度万得(Wind)中国A股上市公司ESG评级榜单AA评级等。报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

  公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请247项，包括发明专利197项，实用新型专利40项，外观设计专利10项。截至2022年12月，公司已申请2,259项专利，其中发明专利1,938项，占比85.79%；已获授权专利1,266项，其中发明专利1,097项，占比86.65%。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。

  公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“四个十大”的公司文化使命，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2022年新入职员工449人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财证金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。2022年3月29日，公司向1104名激励对象授予400万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。

  公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司的参股投资的沈阳拓荆、山东天岳、德龙激光等项目营运表现良好，其中，山东天岳、拓荆科技、德龙激光在2022年完成科创板挂牌上市，晶升装备通过了科创板发审委审核，正在提交证监会注册。报告期内，公司完成对睿励仪器、理想万里晖的新一轮融资的增资，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。

  公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。

  公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“全景投资者关系金奖”、“最佳资本市场沟通奖”、“2022最具价值科创板上市公司”、“中国上市公司成长100强”、“上市公司金牛奖‘科创50强榜单’”等多个奖项。

  公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。

  报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。

  公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。

  公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：

  公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。

  公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Apha阶段、Beta阶段、量产阶段。

  公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。

  为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。

  公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。

  公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。

  半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受国际经济波动、半导体市场、终端消费市场需求影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。

  全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业和LED设备行业中的MOCVD设备行业。

  集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约80%。

  晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner统计，2022年全球刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约22%、22%和17%。

  随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备已取代光刻机成为最关键、最核心的设备。

  MOCVD设备广泛应用于包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜材料、高介电材料等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料制备的关键技术之一。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出、备成本的需求，在国民经济中着举足轻重的作用。当前LED照明、5G通信、新型高端显示、新能源汽车、高速轨道交通、光伏并网、消费类电子等多个国民经济重点领域都离不开氮化镓和碳化硅等为代表的化合物半导体材料。

  在LED及功率器件生产过程中，外延片的制备是至关重要的步骤，其主要通过MOCVD单种设备实现。而MOCVD设备采购金额一般占LED生产线设备总投入的一半以上，是整个器件制造环节中最重要的设备。

  除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED，MOCVD设备还可制造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器件，随着这些新兴领域的应用拓展及逐步推广，MOCVD设备的市场规模有望进一步扩大。

  过去几年，LED客户扩产的主要方向为蓝绿光外延片，应用领域也主要在照明市场。在Mini-LED背光及直接显示市场需求的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量增加明显。Micro-LED高端显示技术也发展迅速，基于Micro-LED的高端显示应用也开始小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的市场需求。根据TrendForce集邦咨询报道，随着Mini-LED背光显示渗透率的提升，以及Mini-LED直接显示逐渐进入商显等市场，Mini/Micro-LED新型显示带来的LED外延片需求量将快速增长。

  此外，随着电动汽车、光伏储能、手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用爆发式增长，带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近期的行业热点。据TrendForce报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小功率领域，预计市场规模将从2021年的1亿美金快速增长到2025年的13亿美金，复合年均增长率达90.6%。由此对氮化镓功率器件外延片制造设备有较大的需求。

  碳化硅功率器件主要应用在大功率领域，如新能源汽车、光伏储能、轨道交通等领域，尤其是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长，据Yoe公司报告，碳化硅功率器件在2027年市场规模将突破60亿美金，复合年均增长率超过30%，由此对碳化硅外延生产设备将有更大的需求。

  目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高。

  在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，泛林半导体、东京电子、应用材料占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的7纳米和5纳米集成电路加工制造生产线纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的CCP刻蚀设备均实现了多次批量销售，已有超过200台反应台在生产线合格运转，公司在主要客户的市场占有率稳步提升。

  在MOCVD设备领域，公司用于氮化镓基LED外延生产的MOCVD设备已在行业领先客户生产线年起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商，并持续保持在行业内的领先地位。

  3.报告期内新技术、新产业（300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

  随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性能不断提升，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面MOSFET结构过渡到FinFET（三维鳍式场效应晶体管）晶体管架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。

  刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。

  等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面的材料发生化学反应，产生可挥发的气体，从而在表面的材料上加工出微观结构。

  根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。

  随着国际上先进芯片制程从7-5纳米阶段向3纳米、2纳米及更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示二重和多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀：

  芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步，例如：刻蚀设备的静电吸盘从原来的4个分区扩展到超过20个分区，以实现更高要求的均匀性；更好的腔体温度控制提高生产重复性。

  集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前128层3DNAND闪存已进入大生产，192层闪存已处于批量生产阶段，256层正在开发。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工40：1到60：1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。

  制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到较为成熟的阶段，MOCVD设备企业目前主要在提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行技术开发，以满足下游应用市场的需求。

  应用于Mini-LED新型显示应用的MOCVD设备发展较为迅速，公司所开发的PrismoUniMax被广泛应用到领先客户的Mini-LED外延生产线，占据行业主导地位，后续公司将于更多下游客户合作进行设备评估，扩大市场推广，助力Mini-LED新型显示应用的市场发展。

  应用于Micro-LED高端显示的MOCVD设备还处于研发阶段，产业链对Micro-LED外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有极为苛刻的技术要求，以此降低Micro-LED应用的制造成本，加速高端显示市场的推广。MOCVD设备企业后续主要将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提高芯片良率，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片加工能力等方面进行技术突破，从而推进产品的不断进步。中微公司已开始研发Micro-LED高端显示应用的MOCVD生产设备。

  应用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶段。行业内已有专用于氮化镓功率器件量产的进口MOCVD设备在客户端用于生产，公司也于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PrismoPD5，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力。

  应用于碳化硅功率器件的外延设备总体还处于生产验证阶段，公司将在机台产出一致性，设备自动化性能，产出效率，硬件稳定性等方面进行进一步性能优化，以满足下游客户对外延片产出性能和产出经济性等方面的苛刻需求。

  从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐渐超过内阻，成为影响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向多层接触孔演变。在可以预见的2nm以及更高的节点，钨接触孔依然是最有竞争力的解决方案。CVD钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来沉积这样的氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸都很小，深宽比都很高，传统的物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。

  国际国内先进逻辑器件工艺节点从14nm、7nm向5nm及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为影响器件速度的关键因素。在90nm到28nm的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降低钨膜的电阻率。但是在14nm及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。先进逻辑器件还需要均匀性和稳定性更好的金属栅的填充技术，以提高器件的性能和稳定性。随着3DNAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。这些新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。

  半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代，改变了许多传统行业亦催生出众多应用，如互联网、智能手机、人工智能、5G、自动驾驶等新兴产业。半导体的制造离不开半导体设备，半导体设备行业的持续发展间接地促进了各类新产业的诞生。

  集成电路应用领域中，以物联网为代表的新兴产业，在可预见的未来内发展趋势明朗。人工智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用的发展将释放出大量芯片制造的需求，进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。

  光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随着Mini-LED和Micro-LED技术的进一步发展和完善，LED新型显示产业有望成为继LED照明产业后MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。

  在化合物半导体功率器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，化合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求已经开始呈现出快速增长趋势。

  公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备和MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。

  在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际国内知名客户65纳米到5纳米及下一代更先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，持续开发5纳米及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备，能够涵盖客户更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

  在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代设备，以满足极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

  此外，公司的电感性等离子刻蚀设备自推出以来，不断地核准更多的刻蚀应用，迅速的扩大了市场并收到领先客户的批量订单，已在超过20个客户包括逻辑、DRAM和3DNAND等各类芯片生产线多个ICP刻蚀工艺的量产，并持续扩展到更多刻蚀应用的验证，发展势头强劲。同样应用ICP技术的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备在先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片生产线等刻蚀市场继续获得批量重复订单。

  用于蓝光LED的PrismoD-Bue、PrismoA7MOCVD设备能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。

  用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单。

  用于Mini-LED生产的MOCVD设备PrismoUniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PrismoUniMax配置了785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升LED波长均匀性。PrismoUniMax已在领先客户端开始进行规模化生产。

  用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PrismoPD5，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸与8英寸工艺的便捷切换，PrismoPD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。

  用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。

  公司已经实现首台设备的高效的研发交付以及其他多个关键装备研发项目的顺利推进。公司完全自主设计开发的双台机的WCVD设备，可以达到业界领先的生产率，同时保证较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用，以及64层和128层3DNAND中的多个关键应用。公司正在开发新的金属钨填充工艺方案，以满足更高深宽比接触孔及沟道电极的需求。同时公司在开发ALD金属工艺方案，以满足先进存储高深宽比结构的填充需求以及逻辑前端金属栅的需求。

  报告期内，公司持续进行较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额9.29亿元，较上年增加27.61%，主要系研发材料投入的增加以及研发人员增加下职工薪酬的增长。本期研发投入总额占营业收入比例为19.59%，较上年减少3.82个百分点，主要系本期营业收入大幅增长。

  公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。

  （一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势

  中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。

  中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。

  中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员592名，占员工总数的42.93%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及MOCVD设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。

  公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改进。

  持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该领域。

  公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。

  公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2022年12月31日，公司已申请2,259项专利，其中发明专利1,938项；已获授权专利1,266项，其中发明专利1,097项。

  在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及64层和128层3DNAND的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。

  公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。

  经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。

  半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。

  公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。

  公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。

  公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球约400家供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。

  公司高度重视企业管理文化建设，经过多年的实践发展，形成了以“产品开发的十大原则”“战略销售的十大准则”“营运管理的十大章法”“精神文化的十大作风”为核心的企业管理文化。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的发展高峰。

  公司在成立初期就为设备的产业化确立了十项设计和开发的基本原则：（1）为达到设备的最高性能和客户最严要求而开发；（2）为技术的创新、设备的差异化和IP保护而开发；（3）为实现加工的重复性和反应器一致性而开发；（4）为确保设备的可靠性和耐用性而开发；（5）为达到极少的颗粒和避免器件损害而开发；（6）为设备容易制造和容易维护而开发；（7）为设备模块化、同制化、容易改进和升级而开发；（8）为设备安全性和环境保护而开发；（9）为设备的高输出、低成本、低消耗和高利润而开发；（10）严格遵循五阶段产品开发管理流程（PDP）。遵循这十项原则，公司在最初开发和设计的阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的设备。

  公司业务发展战略和销售十大准则：（1）三维市场和产品发展战略；（2）有机生长和外延扩展战略；（3）客户导向与引领市场战略；（4）立足中国和全球布局战略；（5）自立自强和合纵连横战略；（6）新产品导入策略；（7）关键客户管理策略；（8）谈判技巧和策略；（9）客户组织内全方位的布局；（10）客户满意的服务策略。

  公司运营管理的十大章法：（1）目标管理制度（MBO）；（2）关键绩效指标管理制度（KPI）；（3）民主集中的决策机制；（4）全员持股的股权期权激励；（5）跨部门合作的矩阵管理；（6）严格且智能的生产和供应链管理；（7）系统的“三全”质量管理制度；（8）严格的法务、合规和知识产权管理；（9）季度审查总结会制度（QCR）；（10）环境、社会和公司治理（ESG）。

  公司精神文化的十大作风：（1）自立自强，主动积极；（2）志存高远，进取不息；（3）诚信务实，说到做到；（4）大胆建言，勇于创新；（5）智慧决策，全力执行；（6）看人长处，认己不足；（7）换位思考，善于倾听；（8）厚德载物，乐于助人；（9）严守机密，纪律严明；（10）大局为重，合作共赢。

  报告期内，包括董事长、领导小组及公司决策咨询委员会成员等成员组成学习小组，进行为期2天的文化工作坊，沉浸式进行学习和研讨，从战略层面、组织愿景和个人使命思考公司文化，以成果汇报展示对公司经营理念的理解。同时，公司通过形式多样的“四个十大”周边产品，如定制笔记本，日历，五折页等，将文化首先从视觉层面形成影响。

  (二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

  核心竞争力是企业在激烈市场竞争中赖以生存的差异化优势资源。目前，公司的核心竞争力主要体现在与产品有关的技术优势及产品服务解决方案上。如果公司未来难以保持在市场中的技术领先优势，没有开发其他具有竞争力的产品，不能提供满足客户需求的定制化服务等，公司的核心竞争力将受到影响。

  近年来，设备市场周期性波动态势给公司带来相应的经营风险。在行业景气度提升过程中，产业往往加大资本性支出，快速提升对相关设备的需求；在行业景气度下降过程中，产业则可能削减资本支出，进而对设备的需求产生不利影响。

  近年来，晶圆厂和LED外延片制造商审慎地进行扩产。不能排除下游个别晶圆厂和LED外延片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。

  作为科技创新型企业，公司秉承扁平化的全员激励原则，对不同层级员工均给予股权激励。员工持股计划涉及公司全体员工的个人利益，在员工持股计划限售期届满后，如何实现员工保持相当的激励水平，对公司的管理能力提出了一定的挑战。如果未来公司未能有效地管理员工持股计划，未能使员工持股计划持续作为员工整体薪酬的重要组成部分，将可能导致公司人员流失等治理风险。

  在实施过程中，公司根据企业会计准则相关规定确认股份支付费用，上市后相关股份支付费用计入经常性损益，该等费用将对归属期内各年度扣非后净利润构成一定影响。由此，发行人实施员工持股计划可能面临股份支付费用影响短期经营业绩的风险。

  公司自成立以来先后承担了多项国家和地方重大科研项目。如果公司未来不能持续获得政府补助或政府补助显著降低，将会对公司经营业绩产生不利影响。

  公司为高新技术企业，报告期内公司享受高新技术企业15%所得税的优惠税率，如果国家上述税收优惠政策发生变化，或者公司未能持续获得高新技术企业资质认定，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。

  国家出台了一系列鼓励政策以推动我国集成电路、LED及其装备制造业的发展，增强信息产业创新能力和国际竞争力。若未来国家相关产业政策支持力度减弱，将对公司发展产生一定影响。

  近年来，国际贸易摩擦不断。公司始终严格遵守中国和他国法律，一直保持与相关国家政府部门的及时沟通。近年来，少数国家不断加强对中国半导体方面的出口管制限制，公司存在一定的国际贸易摩擦风险。

  近年来，随着全球经济和日常生活的加速数字化转型，半导体行业保持高景气周期，半导体器件供应链持续紧张。公司科学管理供应厂商，对关键零部件供应商采取多厂商策略保障零部件及时供应。若未来上游供应链产能紧张形势延续，将对公司设备交期产生不利影响。

  半导体及LED设备行业受下游市场及终端消费市场需求波动的影响，其发展往往呈现一定的周期性。未来宏观经济疲软，终端消费市场的需求尤其是增量需求下滑，客户将会减少设备的采购，行业将面临一定的波动风险。

  半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一贯重视自主知识产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系，但仍不能排除与竞争对手产生知识产权纠纷，亦不能排除公司的知识产权被侵权，此类知识产权争端将对公司的正常经营活动产生不利影响。

  公司在全球范围内销售产品，在多个国家或地区注册知识产权，但不同国别、不同的法律体系对知识产权的权利范围的解释和认定存在差异，若引发争议甚至诉讼将影响业务经营。

  此外，产业链上下游供应商与客户的经营也可能受知识产权争议、诉讼等因素影响，进而间接影响公司正常的生产经营。

  关键技术人员是公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势的基础。公司已经通过全员持股方式，有效提高关键人员和研发团队的忠诚度和凝聚力。但随着行业对专业人才的需求与日俱增，人才竞争不断加剧。若公司不能提供优质的发展平台、有竞争力的薪酬待遇及良好的研发条件，存在关键人员流失的风险，进而可能对公司研发项目的实施和进程等方面造成一定的影响。

  公司拥有大量技术和管理资深专家，集聚并培养了一大批行业内顶尖的技术人才。但如果未能持续引进、培养、激励顶尖技术人才，公司将面临专业技术人才不足的风险，进而可能导致在技术突破、产品创新方面有所落后。

  此外，创始人团队对公司日常生产经营及技术研发具有重要作用，公司十分注重保障创始人团队的稳定性，创始人团队在可预期的未来发生变动的可能性较低，但如公司创始人团队出现重大变动，将可能对公司的在研项目进程、客户关系维护、日常经营管理等方面造成一定的影响。

  针对契合中微公司的中长期发展战略、有发展潜力的标的公司或部门，中微公司计划通过股权投资、并购等方式进行布局，以拓展公司业务领域，培育新的利润增长点，进一步提升公司防范市场波动风险并提升公司盈利能力。在进行投资和并购项目实施过程中，将面临投资风险及并购风险。

  基于产业支持政策、市场环境和发展趋势，公司经过充分的可行性研究作出项目投资决策。公司投资项目标的企业在后续发展过程中，可能面临产业政策变化、市场环境变化、产品技术水平不达预期等诸多不确定因素，可能导致其实际经营表现不达预期，进而导致投资项目的实际效益与预期结果存在较大差异。

  公司强调稳健发展，坚持实施内生性增长与外延式并购相结合的发展策略。虽然公司未来并购时将继续秉承审慎原则，相应制定整合计划，防范并购风险，但若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、被并购公司业绩低于预期或协同效应未出现等情形，将对公司的经营业绩产生不利影响。

  公司从2012年到2022年十年的平均年营业收入一直保持了高于35%的增长率。公司2021年营业收入为31.08亿元，同比增长36.72%。报告期内，虽然国内外产业形势非常不利，公司上下齐心，知难而上，克服了重重困难，与客户和供应厂商密切合作，积极应对复杂国际环境的考验，公司2022年仍实现营业收入47.40亿元，较上年同期增长52.50%，再创历史新高。

  数码产业的发展正在改变人类的生产和生活方式。集成电路芯片和各种半导体微观器件是信息产业的基础和核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体制造设备是半导体产业进步的核心工具，是实现集成电路性能提升的关键，是半导体技术迭代的基石，发展集成电路及装备产业对我国的经济结构调整升级具有重要的战略意义。

  从历史上看，全球半导体产业成长迅猛。根据SIA公布的数据显示，2022年全球半导体销售额创造了新纪录，达到5735亿美元，同比增长3.2%。中国仍然是最大的半导体市场，2022年的销售额为1803亿美元，占比接近32.5%。伴随着新应用推动市场需求的持续旺盛，以及半导体国产化的广阔需求，国内半导体设备行业将受益于半导体产业的发展。

  5G、物联网、大数据、人工智能以及汽车电子等新技术和新产品的应用，将带来庞大的半导体市场需求。半导体设备位于半导体产业链的上游，其市场规模随着下游半导体技术发展和市场需求而波动，根据SEMI的统计，2022年全球半导体设备市场规模创新高达到1085亿美元。目前国内半导体设备市场主要由海外企业所占据。近年来我国设备行业技术水平不断提高，国产设备在产品性价比、售后服务、贴近客户等方面的优势逐渐显现。作为全球最大的半导体消费市场，市场需求带动全球产能中心逐步向中国大陆转移，持续的产能转移带动了市场规模和技术水平的提高，也为设备行业的发展提供了机遇。

  公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备